多晶硅還原爐是生產(chǎn)多晶硅的核心設(shè)備，現(xiàn)有技術(shù)中的多晶硅還原爐多采用鐘形殼體和平板式底盤構(gòu)成殼體，在平板式底盤上安裝電極和硅芯，多根硅芯共處于鐘形殼體內(nèi)與原料氣反應，采用這種結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐工作時爐體內(nèi)溫度分布不均勻，靠近鐘形殼體冷卻壁處的溫度較低，而位于鐘形殼體中心處的溫度較高，因此，容易造成硅芯的生長速度不一致，所生產(chǎn)出的多晶硅純度和質(zhì)量欠佳，不能達到電子級多晶硅的要求。如若在多晶硅底盤處安裝紅外熱像儀可以隨時監(jiān)控多晶硅還原爐底部的溫度分布狀況，對于溫度不均衡的地方，采取改變溫度不均衡地區(qū)的液體的流速，使得多晶硅還原爐內(nèi)的溫度均勻，各硅芯生長速度一致型號，所生產(chǎn)的多晶硅純度高、質(zhì)量好。
目前多晶硅底盤在前期生產(chǎn)過程中并沒有安裝紅外熱像儀，對于老型號的多晶硅還原爐可采用以下兩種方式，1.打開還原爐底部，直接對底部通循環(huán)液，對通過循環(huán)液的溫度狀況進行分析。缺點：不能在生產(chǎn)過程中的測試，使得數(shù)據(jù)不具有參考唯一性，可能在實際生產(chǎn)中會受其他因素的影響，使得實際的還原爐底盤的溫度和紅外熱像儀看到的有差距。2.在還原爐上方開口測量。這時對紅外熱像儀的防護性能有更高的要求，需要紅外熱像儀的高溫條件下，測試數(shù)據(jù)的準確以及穩(wěn)定，外殼的防護性能也做一定要求，耐高溫高潮濕條件，優(yōu)點是測試的數(shù)據(jù)準確。
在多晶硅生產(chǎn)中，該客戶的還原爐爐底的溫度范圍為135-150攝氏度之間，需要的精度在0.5以內(nèi)，精度更高為好，所以我們在選擇紅外熱像儀時可以要求紅外熱像儀的測溫段為135-150攝氏度，這樣只在這個溫度范圍內(nèi)的成像，細節(jié)會更加全面清晰。格物優(yōu)信X系列紅外熱像儀成像質(zhì)量清晰，可設(shè)置溫度監(jiān)控范圍，（推薦選用640*480分辨率，可以看清更多細節(jié)）細微差別的溫度可以在圖像上清晰的顯示，根據(jù)所拍攝的數(shù)據(jù)對還原爐或者物質(zhì)做調(diào)整，可以提高多晶硅生產(chǎn)質(zhì)量。
