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多晶硅反應(yīng)器是多晶硅生產(chǎn)的核心設(shè)備,其內(nèi)部溫度分布直接影響硅沉積速率、產(chǎn)品純度(避免雜質(zhì)揮發(fā) / 沉積)、能耗及設(shè)備壽命。紅外熱像儀憑借非接觸測溫、實時可視化、全域監(jiān)測的優(yōu)勢,成為解決傳統(tǒng)接觸式測溫(熱電偶易損耗、單點局限、響應(yīng)滯后)痛點的關(guān)鍵技術(shù)。

紅外熱像儀用于多晶硅反應(yīng)器溫度監(jiān)測

與傳統(tǒng)的熱電偶(接觸式測溫)相比,紅外熱像儀具有壓倒性優(yōu)勢:

1、非接觸式測量:

不干擾反應(yīng)環(huán)境,不會引入污染源。不會因接觸高溫表面而損壞,壽命長。

2、全場溫度可視化,而非單點:

熱電偶只能測量有限的幾個點,而熱像儀可以獲取整個反應(yīng)器壁面、硅棒表面、電極連接處等區(qū)域的溫度分布圖。能夠及時發(fā)現(xiàn)局部過熱或過冷點,這是單點測溫?zé)o法做到的。

3、預(yù)防性維護與安全保障:

可以實時監(jiān)測反應(yīng)器壁的冷卻系統(tǒng)是否正常工作,避免因局部過熱導(dǎo)致爐壁燒穿等災(zāi)難性事故。監(jiān)測電極和母線排的連接處溫度,及時發(fā)現(xiàn)因松動、氧化導(dǎo)致的接觸電阻過大問題,防止打火或熔斷。

4、提升產(chǎn)品質(zhì)量與一致性:多晶硅的沉積速率、晶粒結(jié)構(gòu)和純度對溫度極其敏感。均勻且穩(wěn)定的溫度場是生產(chǎn)高品質(zhì)、低內(nèi)耗多晶硅的關(guān)鍵。通過熱像儀反饋,可以精確控制加熱功率,確保整個硅棒表面溫度均勻,減少“爆米花”硅、寄生沉積等缺陷。

5、優(yōu)化能耗與生產(chǎn)效率:通過精確的溫度控制,避免不必要的能源浪費,實現(xiàn)“按需加熱”。有助于優(yōu)化工藝參數(shù),縮短反應(yīng)周期,提高單爐產(chǎn)量。

紅外熱像儀安裝位置應(yīng)選擇在還原爐爐體側(cè)面或頂部觀察窗口,紅外熱像儀通過窗口非接觸監(jiān)測爐內(nèi)硅棒。紅外熱像儀測溫范圍選擇覆蓋400°C至2000°C,具備高分辨率和合適的光譜響應(yīng)。為了長期穩(wěn)定運行的關(guān)鍵,設(shè)備需配備吹掃裝置。同時加裝冷卻及防護護罩,避免熱像儀受環(huán)境損害。格物優(yōu)信熱像儀,同時配備自動退出裝置,能更好的保障運行安全,避免經(jīng)濟損失。完備的系統(tǒng)功能,包含數(shù)據(jù)采集與處理軟件?在控制室大屏上實時顯示反應(yīng)器內(nèi)部的熱像圖。同時?可設(shè)置多個測溫區(qū)域(點、線、面),進行趨勢分析、超溫報警。數(shù)據(jù)記錄與回溯?存儲所有熱像數(shù)據(jù),用于產(chǎn)品質(zhì)量追溯和工藝分析。

紅外熱像儀用于多晶硅反應(yīng)器溫度監(jiān)測

紅外熱像儀集成到多晶硅反應(yīng)器監(jiān)測系統(tǒng)中,可以實現(xiàn):從“盲猜”到“可視”,為工藝控制和優(yōu)化提供了最直接的數(shù)據(jù)支撐。從“被動維修”到“主動預(yù)警”,提前發(fā)現(xiàn)設(shè)備隱患,避免非計劃停機,保障連續(xù)生產(chǎn)。從“經(jīng)驗控制”到“數(shù)據(jù)驅(qū)動”,基于全場溫度數(shù)據(jù)優(yōu)化控制策略,提升產(chǎn)品的一致性和良率。節(jié)能降耗,精準的溫度控制直接降低了電能消耗。

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