紅外熱像儀在半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)中是一項(xiàng)至關(guān)重要的測(cè)溫技術(shù)。它提供了一種非接觸、全場(chǎng)、實(shí)時(shí)的溫度監(jiān)測(cè)方案，對(duì)于保證芯片良率、優(yōu)化工藝和確保生產(chǎn)安全具有不可替代的作用。
X1280 4.8UM鏡頭
- 晶圓外延生長(zhǎng)
外延是在晶圓襯底上生長(zhǎng)特定厚度和摻雜濃度單晶薄膜的過(guò)程，溫度均勻性決定薄膜結(jié)晶質(zhì)量和電學(xué)性能。紅外熱像儀可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)晶圓表面溫度分布，捕捉局部高低溫區(qū)域，進(jìn)而幫助操作人員調(diào)整加熱源功率分布，避免因溫度不均導(dǎo)致薄膜缺陷，如晶格失配、應(yīng)力裂紋等。
- 離子注入與退火工藝
離子注入后需退火激活雜質(zhì)離子、修復(fù)晶格損傷，退火溫度達(dá)數(shù)百至一千攝氏度以上且精度要求高。紅外熱像儀可全程監(jiān)測(cè)晶圓在退火爐的溫度變化，確保其整體達(dá)目標(biāo)值且無(wú)明顯溫差，防止退火不充分致器件導(dǎo)電性不足，或局部過(guò)熱使晶圓變形、破損。
- 晶圓切割與劃片
晶圓切割時(shí)，切割刀輪摩擦產(chǎn)生局部熱量，熱量累積可能致晶圓邊緣崩裂、劃片精度下降。紅外熱像儀能快速捕捉切割區(qū)域溫度熱點(diǎn)，及時(shí)調(diào)整切割速度、冷卻液流量等參數(shù)，減少熱損傷。
- 封裝前檢測(cè)
晶圓生產(chǎn)后期，需對(duì)晶圓進(jìn)行全面檢測(cè)排查缺陷。紅外熱像儀可通過(guò)溫度差異識(shí)別隱性缺陷，例如晶圓內(nèi)部的微裂紋、金屬布線的虛焊等，這類(lèi)缺陷會(huì)導(dǎo)致局部熱傳導(dǎo)異常，在熱像圖上呈現(xiàn)明顯的溫度異常點(diǎn)，助力實(shí)現(xiàn)非破壞性的快速篩查。
配備專業(yè)分析軟件，可調(diào)節(jié)發(fā)射率
紅外熱像儀已成為現(xiàn)代半導(dǎo)體晶圓廠不可或缺的“眼睛”，它使工程師能夠“看見(jiàn)”溫度，從而精準(zhǔn)控制和優(yōu)化至關(guān)重要的熱工藝。盡管面臨發(fā)射率、視窗等挑戰(zhàn)，但通過(guò)正確的技術(shù)選型、系統(tǒng)集成和數(shù)據(jù)處理，紅外熱像儀為實(shí)現(xiàn)高良率、高效率的芯片生產(chǎn)提供了關(guān)鍵的數(shù)據(jù)支撐。格物優(yōu)信推出的X1280系列與X640系列微距熱成像儀，采用定制化微距鏡頭、高靈敏度紅外探測(cè)器及定制化測(cè)溫算法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶圓特殊材質(zhì)的高清熱成像測(cè)溫，并支持每秒最高125Hz的高速熱成像。這一突破不僅彌補(bǔ)了傳統(tǒng)檢測(cè)手段在精度與速度上的不足，更為芯片制造行業(yè)注入了全新動(dòng)能。
